SiCやGaNを超える高耐圧性を持つ次世代半導体メーカー

半導体エンジニア【エピ成膜技術／ポスドク歓迎】

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募集要項

仕事内容

新規エピ成膜技術の開発に従事していただきます。

既存技術よりも高性能な技術を開発していくポジションです。

経験・資格

※求人情報の応募要件全てに該当しなくても、企業様に対して内々に打診したり相談することが可能な場合もございます。一つでも当てはまる方は前向きにご検討下さい。

大学院卒以上 / 経験者のみ募集

【必須】

・薄膜結晶成長開発の経験

【歓迎】

・HVPE、MOCVD装置開発の経験

※更なる詳細事項はカウンセリング（面談）時にお伝えします。

推奨年齢

勤務地: 埼玉県

年収: 5,700,000円～ 8,100,000円

Recruiting No.: 02009046000006

企業情報

社名: SiCやGaNを超える高耐圧性を持つ次世代半導体メーカー

事業内容: 酸化ガリウムエピタキシャル膜付基板・単結晶/半導体およびその応用製品の製造販売

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面接

面接の日程調整は転職カウンセラーにお任せください。
ご希望により、面接に臨むにあたっての事前準備や、各企業毎の面接対策も承っております。
内定・退職フォロー

最終選考に合格した後も、給与や待遇についての交渉は遠慮なく転職カウンセラーにご相談ください。入社企業が決まりましたら現職の円満退社に向けたフォローも承ります。
入社

入社時期のすり合わせ、諸手続き等、入社に至るまで転職カウンセラーがサポートいたします。
入社後は新天地にて思う存分ご活躍ください。
※エリートネットワークを通じて転職に成功された方々の『転職体験記』はこちらからご覧ください。

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長野発。オンリーワンの技術に挑み続け、世界の家庭、オフィス、そして産業分野へ。人の心を動かす領域を広げています。

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