半導体エンジニアの求人・転職情報
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半導体チップの評価/解析、歩留まり管理【長野】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000336
- 仕事内容
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半導体チップの評価、解析、歩留まり管理、改善等の業務をお任せいたします。 ●半導体事業部について: 産業分野・自動車分野において、パワーエレクトロニクスのキーデバイスであるパワー半導体を提供し、高効率化や省エネ化に貢献しています。自動車の電装化やIoT機器の普及、自動化・省力化のニーズ増が市場拡大の追...
- 経験・資格
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・学歴不問 ●必須条件: ・半導体の知見 ●歓迎条件: ・半導体チップの製造や評価、解析、良品率改善業務に携わった経験 ・SiやSiC素子や製品に関する知識
- 年収
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500万円~850万円
- 勤務地
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長野県
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発電設備のPJTエンジニア(PL・PM候補)【神奈川】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000325
- 仕事内容
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発電設備のプロジェクトスタッフとしてご活躍いただきます。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●必須条件: ・発電設備(火力、地熱)に関する化学系のスペシャリスト(水質調整、腐食対策、開発)
- 年収
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500万円~900万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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神奈川県
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半導体エンジニア(ポジションサーチ)【長野】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000322
- 仕事内容
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IGBTモジュールの要素技術開発、製品開発、プロセス技術開発、生産技術、品質保証、試験・検査などの幅広い分野において、活躍可能性を検討させていただきます。 経験・スキルに応じて適切な業務をアサインいたしますので、積極的なご応募歓迎しております。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●歓迎要件:下記いずれかに該当する方 ・プロセス技術、品質改善業務経験、生産技術、、パッケージ技術、評価・検査計測、機械設計、製造の経験等 ・材料系、電気系、デバイス系の基本的な知識 ※半導体業界以外でも、理系の方・近しい業務経験をお持ちの方歓迎 ※第二新卒可
- 年収
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450万円~800万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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長野県
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火力・地熱プラントの電気・制御・計装のシーケンス設計【神奈川】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000321
- 仕事内容
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発電設備(火力、地熱)に関する電気・制御・計装の詳細設計(機器選定、ハードシーケンス設計)をお任せします。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●必須条件: ・実務経験5年以上 ・電気/制御系(ブロック図を見ながらシーケンス作成の経験者)の業務経験
- 年収
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500万円~900万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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神奈川県
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パワー半導体ディスクリートの製品設計【長野】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000319
- 仕事内容
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xEV用パワー半導体製品(主に周辺機器向け)の開発・設計、顧客技術対応およびデザインイン・スペックイン活動をお任せします。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●歓迎 ・半導体製品設計や電気回路設計のご経験者
- 年収
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500万円~850万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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長野県
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車載用モジュールの製品設計・評価【長野】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000317
- 仕事内容
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HEV,EVの駆動用インバータに適用されるパワーモジュールの製品設計業務をお任せします。 具体的には製品の企画・仕様策定、設計評価等、製品設計全体を取り纏める業務を想定しています。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●必須経験: ・電気、電子の知見を有し、製品設計のご経験がある方 ※パワーモジュール知識、評価・分析技術の知見がある方歓迎
- 年収
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500万円~850万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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長野県
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パワー半導体の開発設計【長野】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000316
- 仕事内容
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パワーモジュールの製品設計業務をお任せします。具体的には電気・熱・信頼性設計および評価を中心に製品設計の推進を期待しております。 ※基本的にはチームを組んで一緒に業務を進めていくため、異業界経験者も歓迎しております。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●必須 ・電気・電子回路のご経験 ●歓迎 ・半導体の基礎知識を有し、同業務に興味をお持ちの方 ・半導体製品やパワーエレクトロニクス機器等の開発設計経験をお持ちの方 ※特にIGBT、MOSFET、SiC、GaN等のパワー半導体経験をお持ちの方は歓迎いたします
- 年収
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450万円~850万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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長野県
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パワー半導体のプロセス開発※SiC等【長野】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000315
- 仕事内容
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SiC等のパワー半導体製造に必要な要素プロセス技術開発、量産化技術、生産性改善および品質改善に関する業務をお任せします。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●必須経験: ・半導体デバイスのプロセス技術や品質改善業務経験をお持ちの方
- 年収
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500万円~850万円
- 勤務地
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長野県
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車載向けモジュールのパッケージ構造設計【長野】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000314
- 仕事内容
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車載向けモジュールの外装・内装(配線/接合/絶縁/封止)の設計、および部材選定(サプライヤ含む)業務をお任せします。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●歓迎 ・材料力学、熱力学の知識を有している方 ●なお良し ・半導体の構造設計の知識を有している方
- 年収
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500万円~850万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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長野県
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車載用パワー半導体デバイス製品開発【長野】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000313
- 仕事内容
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xEV用パワー半導体チップ(パワートレイン向け)の開発・設計、顧客技術対応やデザインイン・スペックイン活動をお任せします。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●必須経験: ・半導体開発において何かしらの知見を有している方 ※半導体デバイス設計またはプロセス技術経験者歓迎
- 年収
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500万円~850万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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長野県
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IGBT・SiCチップ設計【長野】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000312
- 仕事内容
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●業務概要: 車載用モーター駆動 高耐圧半導体(IGBT)の設計、開発業務をお任せします。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●歓迎 ・半導体関連における設計業務経験
- 年収
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650万円~900万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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長野県
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プロセス開発(Si、SiC関連)【長野】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000310
- 仕事内容
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SiまたはSiC等のパワー半導体製造に必要な要素プロセスの技術開発、量産化技術、生産性改善、品質改善に関する業務をお任せします。 配属課はスキル、経験等を考慮の上決定いたします。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●歓迎経験: ・半導体デバイスのプロセス技術や品質改善業務経験 ・微細加工技術
- 年収
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450万円~800万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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長野県
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半導体レーザモジュール設計・開発エンジニア
東証グロース上場 独自のレーザー技術に強みを持つスタートアップ
No. 02008375000006
- 仕事内容
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・小型可視レーザの波長ラインナップ拡充、プラグアンドプレイモジュール開発(具体的な業務内容は以下の通り)。 [1] 新波長製品および BOX 型モジュールの開発 製品ラインナップ拡充のための新波長小型可視レーザモジュール開発、および小型可視レーザにドライバ・温度制御機能・GUI を実装することで顧客利便性を高め...
- 経験・資格
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・半導体レーザモジュールの設計・評価の十分な経験および知識 ・CW 回路、変調回路、マイコン制御、GUI など、電気制御設計の実務経験 ・外注先コーディネート(外注先選定・指導・製品不具合の解決等)の実務経験 【求める人物像】 ・新しい技術の開拓に意欲を持ち、自ら考え、行動できる方 ・強い意思を持って目標達...
- 推奨年齢
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- 年収
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643.5 ~ 907.5 万円位まで
- 勤務地
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神奈川県
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半導体レーザチップ設計・開発エンジニア
東証グロース上場 独自のレーザー技術に強みを持つスタートアップ
No. 02008375000005
- 仕事内容
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・帯量子ドットレーザ、DFB レーザおよび小型可視レーザの高性能化・高機能化のためのチップ開発(具体的業務は以下)。 [1] 帯量子ドットレーザ シリコンフォトニクス用光源として FP・DFB レーザともに高温・広温度範囲での高出力化が求められており、そのチップの開発・設計業務 [2] DFB レーザ ナノ秒パルス駆動時...
- 経験・資格
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・半導体レーザチップの設計・評価の十分な経験および知識 ・ビジネス英会話(目安:TOIEC 600 点以上) 【求める人物像】 ・新しい技術の開拓に意欲を持ち、自ら考え、行動できる方 ・強い意思を持って目標達成できる方 ・開発、生産、営業メンバーとのチームワークを大切にしながら業務を遂行できる人
- 推奨年齢
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- 年収
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643.5 ~ 907.5 万円位まで
- 勤務地
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神奈川県
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生産・製造・プロセス技術(半導体・電子部品系)
世界最先端を目指すロジック半導体メーカー
No. 02009092000037
- 仕事内容
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2nm世代の最先端半導体量産を実現するエンジニア(プロセス・インテグレーション開発/デバイス開発)をご担当いただきます。 2nm世代及びBeyond 2nmの先端ロジック半導体開発における以下業務をお任せいたします。 ┗各工程のプロセスとインテグレーション開発 ┗装置から搬送システムを含めた新規量産技術開発 ┗デバイス開...
- 経験・資格
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求める人材: ・半導体製造工程においてのプロセスインテグレーションの経験がある方 ・マネジメント経験をお持ちの方 【語学力】TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力・ビジネスレベルの英語力(読み書きを重視しますが、全く会話ができないと業務に支障をきたす可能性があります) 【学歴】不問
- 年収
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650万円~1,300万円
- 勤務地
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東京都