すべての技術職(モノづくり)の求人・転職情報
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IGBT・SiCチップ設計【長野】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000312
- 仕事内容
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●業務概要: 車載用モーター駆動 高耐圧半導体(IGBT)の設計、開発業務をお任せします。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●歓迎 ・半導体関連における設計業務経験
- 年収
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650万円~900万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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長野県
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プロセス開発(Si、SiC関連)【長野】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000310
- 仕事内容
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SiまたはSiC等のパワー半導体製造に必要な要素プロセスの技術開発、量産化技術、生産性改善、品質改善に関する業務をお任せします。 配属課はスキル、経験等を考慮の上決定いたします。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●歓迎経験: ・半導体デバイスのプロセス技術や品質改善業務経験 ・微細加工技術
- 年収
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450万円~800万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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長野県
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電気設備の保守点検【大阪】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000309
- 仕事内容
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電機・計測システム設備の現地点検作業をお任せいたします。規模の大きな案件に携わる事ができ、電気エンジニアとしてスキルアップできる環境が整っています。 担当地区は関西エリアとなります。
- 経験・資格
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・学歴不問 ●必須要件: ・電気設備関連等の保守・メンテナンス経験をお持ちの方 ※電気工事士、電気工事施工管理技士などの資格をお持ちの方歓迎
- 年収
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450万円~700万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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大阪府
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品質保証(放射線計測機器)【広島】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000307
- 仕事内容
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●業務内容: 放射線計測機器およびシステムの現地保守業務(定期点検)をお任せします。具体的には原子力発電所をはじめとした原子力施設において、既納設備(放射線管理設備)の定期点検業務をお任せすることを想定しております。
- 経験・資格
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・学歴不問 <応募資格/応募条件> ●必須要件: ・電気基礎知識を有し、計測機器・システムの現場保守経験
- 年収
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500万円~750万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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島根県
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電機・計測システム設備改修における企画・PM業務【愛知】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000306
- 仕事内容
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電機・計測システム設備の改造、改修、工事の計画や手配、現地管理のエンジニアリング業務をお任せします。
- 経験・資格
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・学歴不問 <応募資格/応募条件> ●必須要件: ・電気基礎知識を有し、設備などの保守点検・エンジニアリング業務を有している方
- 年収
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500万円~750万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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愛知県
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電気設備の保守・点検業務【愛知/第二新卒歓迎】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000305
- 仕事内容
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●業務内容: 電機・計測システム設備の現地保守・点検作業をお任せします。 同社フィールド・サービス、カスタマーエンジニアリングセンターは各拠点ごとに担当制となっているため、遠方の出張は少なく、基本的に中部地方近郊での出張となります。そのため、働き方改善が可能な職場です。
- 経験・資格
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・学歴不問 <応募資格/応募条件> ●必須要件: ・電気系の知見をお持ちの方 ●歓迎要件:電気系の下記資格をお持ちの方 ・第一種電気工事や1級電気工事施工管理技士
- 年収
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500万円~700万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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愛知県
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要素技術開発【東京】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000303
- 仕事内容
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●業務内容: 次世代パワー半導体及び車載インバータに関する要素技術開発をお任せします。具体的な業務は下記いずれかを想定しています。 【業務詳細】 ●車載パワー半導体パッケージ技術 ・パッケージ全体構造:材料選定、構造成立性、熱応力設計、製造プロセス開発等 ・パッケージ構造実現:接合技術、樹脂成形技術、絶...
- 経験・資格
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●必須条件: ・半導体・インバータの実装プロセス技術や応用技術経験
- 年収
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600万円~900万円
※高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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東京都
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研究開発/セキュリティの要素技術【東京】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000301
- 仕事内容
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●業務内容: IoTクラウドシステムに関するセキュリティの要素技術の研究開発業務、及び、自社製品、システムに対するセキュリティ技術支援をお任せします。 【業務詳細】 ●これまでの防御を中心とした技術に加えて、サイバー攻撃による侵入などを前提とした検知、対応、復旧に対する技術の研究・開発 ・セキュア実行環境...
- 経験・資格
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●必須条件: ・何かしらのシステム開発の経験をお持ちの方でセキュリティに興味をお持ちの方
- 年収
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500万円~950万円
※高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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東京都
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研究開発/システム設計に関する先端技術および要素技術【東京】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000300
- 仕事内容
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●業務内容: 同社組込製品のシステム設計に関する先端技術および要素技術の研究開発業務をお任せします。 【業務詳細】 ●組込機器のハードウェア設計に関する研究・開発 ・マルチコア/ヘテロコアCPU活用技術 ・ネットワーク利用技術 ●組込ソフトウェアの設計・実装の効率化を実現する基盤技術に関する研究・開発 ・高信...
- 経験・資格
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●必須条件: ・デジタル、アナログ回路設計を有している方で、ソフトウェア領域に興味をお持ちの方
- 年収
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500万円~950万円
※高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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東京都
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機能性材料の研究開発【東京】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000299
- 仕事内容
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●業務内容: 電気化学・蓄エネルギーに関する研究開発をお任せします。具体的には下記業務を想定しております。 【業務詳細】 ・セルスタック開発:高分子膜タイプの水電解セルおよびスタックの開発 ・電気化学特性評価:セルスタックの電気化学測定(I-V測定、EIS測定 ・電極開発:高分子膜タイプの水電解用セルの電極開...
- 経験・資格
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●必須条件: ・水電解セルに関する研究開発の経験
- 年収
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500万円~950万円
- 勤務地
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東京都
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研究開発(絶縁材料)【東京】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000298
- 仕事内容
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●業務内容: パワー半導体用パッケージ、変電機器,回転機など、いずれかの絶縁構造に用いる,絶縁材料開発,信頼性評価に関わる業務に従事して頂きます。 【業務詳細】 ・樹脂材料設計:絶縁材料の高性能化(樹脂・フィラー材料検討及び混合実験) ・成型実験:開発した樹脂を用いた、注型、加圧ゲル化成型、トランスファ...
- 経験・資格
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●必須条件: ・樹脂材料に関する研究開発の経験
- 年収
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500万円~950万円
※高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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東京都
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生産管理・原価管理【東京】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000293
- 仕事内容
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コンポーネント製品の製品の工場窓口、生産管理、原価管理、予決算管理業務に従事して頂きます。
- 経験・資格
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●必須要件: ・製品原価管理、損益計算書の管理業務のご経験
- 年収
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500万円~800万円
※高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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東京都
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電気設計/電力・交通分野の監視・制御システムの設計【東京】
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000282
- 仕事内容
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電力・再生可能エネルギー分野の変電所監視・制御システムの設計業務に従事して頂きます。
- 経験・資格
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●必須要件: PLCソフト設計のご経験
- 年収
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500万円~700万円
※高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。 - 勤務地
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東京都
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半導体レーザモジュール設計・開発エンジニア
東証グロース上場 独自のレーザー技術に強みを持つスタートアップ
No. 02008375000006
- 仕事内容
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・小型可視レーザの波長ラインナップ拡充、プラグアンドプレイモジュール開発(具体的な業務内容は以下の通り)。 [1] 新波長製品および BOX 型モジュールの開発 製品ラインナップ拡充のための新波長小型可視レーザモジュール開発、および小型可視レーザにドライバ・温度制御機能・GUI を実装することで顧客利便性を高め...
- 経験・資格
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・半導体レーザモジュールの設計・評価の十分な経験および知識 ・CW 回路、変調回路、マイコン制御、GUI など、電気制御設計の実務経験 ・外注先コーディネート(外注先選定・指導・製品不具合の解決等)の実務経験 【求める人物像】 ・新しい技術の開拓に意欲を持ち、自ら考え、行動できる方 ・強い意思を持って目標達...
- 推奨年齢
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- 年収
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643.5 ~ 907.5 万円位まで
- 勤務地
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神奈川県
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半導体レーザチップ設計・開発エンジニア
東証グロース上場 独自のレーザー技術に強みを持つスタートアップ
No. 02008375000005
- 仕事内容
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・帯量子ドットレーザ、DFB レーザおよび小型可視レーザの高性能化・高機能化のためのチップ開発(具体的業務は以下)。 [1] 帯量子ドットレーザ シリコンフォトニクス用光源として FP・DFB レーザともに高温・広温度範囲での高出力化が求められており、そのチップの開発・設計業務 [2] DFB レーザ ナノ秒パルス駆動時...
- 経験・資格
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・半導体レーザチップの設計・評価の十分な経験および知識 ・ビジネス英会話(目安:TOIEC 600 点以上) 【求める人物像】 ・新しい技術の開拓に意欲を持ち、自ら考え、行動できる方 ・強い意思を持って目標達成できる方 ・開発、生産、営業メンバーとのチームワークを大切にしながら業務を遂行できる人
- 推奨年齢
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- 年収
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643.5 ~ 907.5 万円位まで
- 勤務地
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神奈川県