研究開発（R&D）の求人・転職情報

xEV用パワー半導体製品(主に周辺機器向け)の開発・設計、顧客技術対応およびデザインイン・スペックイン活動をお任せします。

・学歴不問 ●歓迎 ・半導体製品設計や電気回路設計のご経験者

500万円～850万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。

長野県

HEV,EVの駆動用インバータに適用されるパワーモジュールの製品設計業務をお任せします。 具体的には製品の企画・仕様策定、設計評価等、製品設計全体を取り纏める業務を想定しています。

・学歴不問 ●必須経験： ・電気、電子の知見を有し、製品設計のご経験がある方 ※パワーモジュール知識、評価・分析技術の知見がある方歓迎

500万円～850万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。

長野県

パワーモジュールの製品設計業務をお任せします。具体的には電気・熱・信頼性設計および評価を中心に製品設計の推進を期待しております。 ※基本的にはチームを組んで一緒に業務を進めていくため、異業界経験者も歓迎しております。

・学歴不問 ●必須 ・電気・電子回路のご経験 ●歓迎 ・半導体の基礎知識を有し、同業務に興味をお持ちの方 ・半導体製品やパワーエレクトロニクス機器等の開発設計経験をお持ちの方 ※特にIGBT、MOSFET、SiC、GaN等のパワー半導体経験をお持ちの方は歓迎いたします

450万円～850万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。

長野県

SiC等のパワー半導体製造に必要な要素プロセス技術開発、量産化技術、生産性改善および品質改善に関する業務をお任せします。

・学歴不問 ●必須経験： ・半導体デバイスのプロセス技術や品質改善業務経験をお持ちの方

500万円～850万円

長野県

xEV用パワー半導体チップ(パワートレイン向け)の開発・設計、顧客技術対応やデザインイン・スペックイン活動をお任せします。

・学歴不問 ●必須経験： ・半導体開発において何かしらの知見を有している方 ※半導体デバイス設計またはプロセス技術経験者歓迎

500万円～850万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。

長野県

●業務概要： 車載用モーター駆動 高耐圧半導体(IGBT)の設計、開発業務をお任せします。

・学歴不問 ●歓迎 ・半導体関連における設計業務経験

650万円～900万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。

長野県

SiまたはSiC等のパワー半導体製造に必要な要素プロセスの技術開発、量産化技術、生産性改善、品質改善に関する業務をお任せします。 配属課はスキル、経験等を考慮の上決定いたします。

・学歴不問 ●歓迎経験： ・半導体デバイスのプロセス技術や品質改善業務経験 ・微細加工技術

450万円～800万円
高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。

長野県

●業務内容： 次世代パワー半導体及び車載インバータに関する要素技術開発をお任せします。具体的な業務は下記いずれかを想定しています。 【業務詳細】 ●車載パワー半導体パッケージ技術 ・パッケージ全体構造：材料選定、構造成立性、熱応力設計、製造プロセス開発等 ・パッケージ構造実現：接合技術、樹脂成形技術、絶...

●必須条件： ・半導体・インバータの実装プロセス技術や応用技術経験

600万円～900万円
※高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。

東京都

●業務内容： IoTクラウドシステムに関するセキュリティの要素技術の研究開発業務、及び、自社製品、システムに対するセキュリティ技術支援をお任せします。 【業務詳細】 ●これまでの防御を中心とした技術に加えて、サイバー攻撃による侵入などを前提とした検知、対応、復旧に対する技術の研究・開発 ・セキュア実行環境...

●必須条件： ・何かしらのシステム開発の経験をお持ちの方でセキュリティに興味をお持ちの方

500万円～950万円
※高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。

東京都

●業務内容： 同社組込製品のシステム設計に関する先端技術および要素技術の研究開発業務をお任せします。 【業務詳細】 ●組込機器のハードウェア設計に関する研究・開発 ・マルチコア/ヘテロコアCPU活用技術 ・ネットワーク利用技術 ●組込ソフトウェアの設計・実装の効率化を実現する基盤技術に関する研究・開発 ・高信...

●必須条件： ・デジタル、アナログ回路設計を有している方で、ソフトウェア領域に興味をお持ちの方

500万円～950万円
※高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。

東京都

●業務内容： 電気化学・蓄エネルギーに関する研究開発をお任せします。具体的には下記業務を想定しております。 【業務詳細】 ・セルスタック開発：高分子膜タイプの水電解セルおよびスタックの開発 ・電気化学特性評価：セルスタックの電気化学測定(I-V測定、EIS測定 ・電極開発：高分子膜タイプの水電解用セルの電極開...

●必須条件： ・水電解セルに関する研究開発の経験

500万円～950万円

東京都

●業務内容： パワー半導体用パッケージ、変電機器，回転機など、いずれかの絶縁構造に用いる，絶縁材料開発，信頼性評価に関わる業務に従事して頂きます。 【業務詳細】 ・樹脂材料設計：絶縁材料の高性能化(樹脂・フィラー材料検討及び混合実験) ・成型実験：開発した樹脂を用いた、注型、加圧ゲル化成型、トランスファ...

●必須条件： ・樹脂材料に関する研究開発の経験

500万円～950万円
※高専、大卒、修士卒の区別なく処遇致します。

東京都

2nm世代の最先端半導体量産を実現するエンジニア(プロセス・インテグレーション開発/デバイス開発)をご担当いただきます。 2nm世代及びBeyond 2nmの先端ロジック半導体開発における以下業務をお任せいたします。 ┗各工程のプロセスとインテグレーション開発 ┗装置から搬送システムを含めた新規量産技術開発 ┗デバイス開...

求める人材: ・半導体製造工程においてのプロセスインテグレーションの経験がある方 ・マネジメント経験をお持ちの方 【語学力】TOEIC600点以上もしくは同等程度の語学力・ビジネスレベルの英語力(読み書きを重視しますが、全く会話ができないと業務に支障をきたす可能性があります) 【学歴】不問

650万円～1,300万円

東京都

2nm世代/Beyond 2nmの最先端半導体デバイス評価解析を担っていただきます。 ・半導体素子・回路のFIB薄片加工 ・薄片加工された半導体素子・回路のTEM/STEM、および、関連技術(NBD/EDS/EELSなど)による観察

【必須(MUST)】 ・半導体回路または素子のFIB薄片加工経験、または、TEM/STEM装置の実務操作経験 ・TEM/STEM、および、関連技術(NBD/EDS/EELSなど)の理解 ・EDS/EELSの測定経験および結果解釈の経験 【歓迎(WANT)】 ・50nm以下の薄片加工経験 ・装置選定、設置環境構築の実務経験 ・FIB薄片加工、TEM/STEM装置実務操作を...

500万円～1800万円

米国、北海道、東京都

2nm世代/Beyond 2nmの最先端ロジック開発半導体回路/PDK/シミュレーション開発 米国/共同開発先のエンジニアと協働し、PDKや基本素子回路設計、シミュレーション構築を担っていただきます。 ・PDK開発、基本素子回路、評価回路設計 ・DTCO(Device Technology Co-Optimization)、デバイスモデリング ・TEG作成 ・TCADシミ...

【必須(MUST)】 ・半導体回路開発、PDK設計、シミュレーション経験、もしくは、半導体関連分野を専攻し、博士課程を修了した方(見込みも含む) 【歓迎(WANT)】 ・英語力(TOEIC 600点以上、もしくは同等以上が目安)

500万円～1800万円

米国、東京都、神奈川県